МОДУЛЬ IGBT SEMIKRON SKM 200GAL125D

IGBT: 1200 В, 200 А, Модуль, полумост

Технические характеристики:
Внутренняя схема: GB
Кол-во ключей в модуле: 2
Напряжение К-Э: 1.2 кВ
Рабочий ток при 25°C: 150А
Технология кристалла: NPT IGBT (Uitrafast)
Корпус: SEMITRANS3

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
Технические параметры
Максимальная рабочая температура    +150 °C
Длина    106.4мм
Transistor Configuration    Серия
Производитель    Semikron
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)    1200 V
Максимальный непрерывный ток коллектора    200 A
Тип корпуса    SEMITRANS3
Тип монтажа    Монтаж на панели
Минимальная рабочая температура    -40 °C
Ширина    61.4мм
Высота    30.5мм
Число контактов    3
Размеры    106.4 x 61.4 x 30.5мм
Конфигурация    Двойной полумост
Максимальное напряжение затвор-эмиттер    ±20V
Тип канала    N
Вес, г    322.7